1310nm光送信機：WT-1310

性能特性

●1.2GHz帯、DOCSIS3.1規格に対応しています。

● AGC および MGC ゲイン制御モードはオプションです。

●DFB同軸またはバタフライ型レーザーが使用可能です。

● 出力光パワーはオプションで 6dBm ～ 15dBm です。

●プリディストーション技術、優れたCNR、CSO、CTB指標が高い。

●最大50dBのアイソレーションを備えた2つの入力。

● 二重電源ホットバックアップ、さまざまな給電オプション。 AC100～240V および DC48V はオプションです。

●フロントパネルのLEDステータス表示。

●レーザー出力パワー、バイアス電流、冷却電流をリアルタイムに検出します。

ブロック図

テクニックパラメータ

表示メニューの操作説明

▲▼ キー: カーソルを左右または上下に移動すると、選択したモジュールまたはメニューが強調表示されます。

Enter キー: Enter を押して次のサブメニューに入るか、サブメニューでパラメータを設定します。 Enter を押して確定します。

ESC キー: 終了するか、前のメニューに戻ります。

電源投入後に表示されるメニュー: Enter キーを押して、最初のレベルのサブメニューに入ります。

Disp Parameters、第 2 レベルのサブメニュー:

第 2 レベルのサブメニューの「パラメータを設定」:

アラーム ステータス、第 2 レベルのサブメニュー:

構造の説明

フロントパネル

リアパネル

寸法

命名仕様

注1:

1P-A220: AC 220V 単一電源

1P-D48: DC 48V 単一電源

2P-A220: AC 220V デュアル電源

2P-A220 D48: AC 220V DC 48V デュアル電源

注2:

AV: 同軸レーザー、1.2G、高絶縁、フル GaAs MMIC 回路を備えた RF 挿入、最大 16mW (12dBm)。 860M、1G、1.2G は区別されません。

BV: バタフライ型レーザー、1.2G、高絶縁、フル GaAs MMIC 回路を備えた RF 挿入、最大 31mW (15dBm)。 860M、1G、1.2G は区別されません。

同軸レーザーは 16mW (12dBm) 以下に推奨され、10mW (10dBm) 未満のモデルは推奨されません。

推奨されません。組み合わせて 10mW（10dBm）になります。

注3: 数字は出力光パワー mW を表し、最大 31mW (15dBm) です。

注4: レーザーに特別な要件がある場合は、注文時に明記してください。

注5: 標準のフロントパネルは黒色のエンジニアリングプラスチック製です。

注6: 標準のファイバー インターフェースと RF インターフェースは背面パネルにあります。

注7: 標準スイッチング電源モジュールは当社製です。

注8: 標準の国内クラス II トランスポンダーを搭載しています。

注意

● パッケージが汚されていないことを確認してください。機器が損傷したと思われる場合は、さらに深刻な損傷やオペレータへの危害を避けるため、通電しないでください。

● 装置の電源を入れる前に、ハウジングと電源ソケットが確実に接地されていることを確認してください。サージや静電気から効果的に保護するために、接地抵抗は 4Ω 未満である必要があります。

●光送信機は業務用機器です。インストールとデバッグは専門の技術者が行う必要があります。誤操作による機器の損傷やオペレータへの事故による損害を避けるため、操作前にこのマニュアルをよくお読みください。

● 光トランスミッターの動作中またはデバッグ中は、フロント パネルの光出力アダプターから目に見えないレーザー ビームが放射されます。身体や目に永久的な害を及ぼさないように、光出力を人体に向けたり、光出力を肉眼で直接見たりしないでください。

● ファイバ コネクタを使用しないときは、粉塵汚染を避け、ファイバの先端を清潔に保つために、ファイバ コネクタをダスト ジャケットの上に置く必要があります。